Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert.
Der Inhalt
Herstellung von Siliziumscheiben
Oxidation des dotierten Siliziums
Lithografie
Ätztechnik
Dotiertechniken
Depositionsverfahren
Metallisierung und Kontakte
Scheibenreinigung
MOS-Technologien zur Schaltungsintegration
Erweiterungen zur Höchstintegration
Bipolar-Technologie
Montage integrierter Schaltungen
Die Zielgruppen
Studierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Mikrosystemtechnik, Informatik und Physik
Prozessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler
Der Autor
Prof. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Inhaltsverzeichnis
Herstellung von Siliziumscheiben. - Oxidation des dotierten Siliziums. - Lithografie. - Ätztechnik. - Dotiertechniken. - Depositionsverfahren. - Metallisierung und Kontakte. - Scheibenreinigung. - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration. - Erweiterungen zur Höchstintegration. - Bipolar-Technologie. - Montage integrierter Schaltungen.
