Das Lehrbuch behandelt die Grundlagen und die technische Durchführung der Einzelprozesse zur mikroelektronischen Schaltungsintegration in der Silizium-Halbleitertechnologie. Die Integrationstechnik setzt sich aus einer Vielzahl von sich wiederholenden Einzelprozessen zusammen, deren Durchführung und apparative Ausstattung extremen Anforderungen genügen müssen, um die geforderten Strukturgrößen bis zu wenigen Nanometern gleichmäßig und reproduzierbar zu erzeugen. Das Zusammenspiel der Oxidationen, Ätzschritte und Implantationen zur Herstellung von MOS- und Bipolarschaltungen werden - ausgehend vom Rohsilizium bis zur gekapselten integrierten Schaltung - aus Sicht der Prozessführung erläutert. Moderne 3D-Bauformen für Feldeffekttransistoren runden den Inhalt ab.
Der Inhalt
- Herstellung von Siliziumscheiben
- Oxidation des dotierten Siliziums
- Lithografie
- Ätztechnik
- Dotiertechniken
- Depositionsverfahren
- Metallisierung und Kontakte
- Scheibenreinigung
- MOS-Technologien zur Schaltungsintegration
- Erweiterungen zur Höchstintegration
- Transistoren mit Nanometer-Abmessungen
- Bipolar-Technologie
- Montage integrierter Schaltungen
Die ZielgruppenStudierende der Fachrichtungen Elektronik, Elektrotechnik, Materialwissenschaften, Mikrosystemtechnik, Informatik und PhysikProzessingenieure aus der Halbleiterfertigung, Mikrotechnologen und Schaltungsentwickler
Der AutorProf. Dr.-Ing. Ulrich Hilleringmann leitet das Fachgebiet Sensorik an der Universität Paderborn und lehrt Halbleitertechnologie, Mikrosystemtechnik, Sensorik und Prozessmesstechnik.
Inhaltsverzeichnis
Herstellung von Siliziumscheiben. - Oxidation des dotierten Siliziums. - Lithografie. - Ätztechnik. - Dotiertechniken. - Depositionsverfahren. - Metallisierung und Kontakte. - Scheibenreinigung. - MOS-Technologien zur Schaltungsintegration. - Erweiterungen zur Höchstintegration. - Transistoren mit Nanometer-Abmessungen. - Bipolar-Technologie. - Montage integrierter Schaltungen.
